三星宣布量产512GB的eUFS 3.1制式高速闪存 未来或将成为旗舰机新标配

3月17日我们得到消息，三星电子正式宣布已开始量产业界首款用于旗舰机的512GB eUFS 3.1芯片，与此前的三星eUFS 3.0芯片相比，eUFS 3.1芯片的写入速度是以前的三倍。

根据三星官方提供的数据显示，三星512GB eUFS 3.1的连续写入速度超过1200MB/s，装有新eUFS 3.1的手机仅需1.5分钟即可处理100GB数据，而基于UFS 3.0的手机则需要4分钟以上。另外，512GB eUFS 3.1的处理速度比UFS 3.0版本快60％，随机读取和写入速度分别为100000 IOPS（每秒输入/输出操作）和70000 IOPS。

除512GB版本外，三星还将在今年晚些时候发布256GB和128GB版本的芯片。据了解，三星已经开始在西安的新生产线（X2）量产第五代V-NAND，以完全满足旗舰和高端智能手机市场的存储需求。